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英飛凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET

字號+作者:劉立慶 來源:原創 2020-02-19 10:52 我要評論() 收藏成功收藏本文

【2020年2月18日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通過專注于解決當前電源管理設計面臨的挑戰,來實現系統創新和組件水平的'...

    【2020年2月18日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通過專注于解決當前電源管理設計面臨的挑戰,來實現系統創新和組件水平的改進。“源極底置”是符合行業標準的全新封裝概念。英飛凌已推出第一批基于該封裝概念的功率MOSFET,它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業標桿,不僅通態電阻(RDS(on))降低,還具有業內領先的熱性能指標。該產品適合的應用非常廣泛,包括馬達驅動、SMPS(包括服務器、電信OR-ing)和電池管理等等。

    新封裝概念將源極(而非傳統的漏極)與導熱墊相連。除了實現新的PCB布局,這還有助于實現更高的功率密度和性能。目前推出的兩個型號占板面積不同,它們分別是:源極底置,標準門極布局的PQFN 3.3x3.3 mm封裝;及源極底置,門極居中的PQFN 3.3x3.3 mm封裝。源極底置,標準門極布局的封裝是基于當前的PQFN 3.3x3.3 mm引腳分配布局。電氣連接的位置保持不變,方便將如今標準的漏極底置封裝簡單直接地替換成新的源極底置封裝。在門極居中的封裝中,門極引腳被移到中心位置以便于多個MOSFET并聯。由于漏-源極爬電距離增大,多個器件的門極可以連接到同一層PCB上。此外,將門極接口移到中心位置還能使源極面積增大,從而改進器件的電氣連接。

    這一技術創新可使RDS(on)相比現有技術大幅減小,減幅最高達到30%。相比現有的PQFN封裝,結-殼熱阻(RthJC)也得到大幅改進。由于寄生效應降低,PCB損耗改進,以及熱性能優異,新封裝概念可為任何當代的工程設計帶來巨大的附加價值。

    供貨情況

    基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的兩種OptiMOSTM源極底置25 V功率MOSFET現在都能供貨

(劉立慶)

 

 

 

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